genere | Descrizione |
Stato della parte | Active |
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Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC inversa (Vr) (Max) | 650V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A (DC) |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 2A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 35µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto/custodia | 4-PowerTSFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-VSON-4 |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |