IPD12CNE8N G

IPD12CNE8N G

Modelli EDA / CAD:
IPD12CNE8N G PCB Footprint e simbolo
Risorsa azionaria:
Distributore in eccesso di fabbrica / distributore in franchising
Garanzia:
Garanzia di 1 anno Endezo
Descrizione:
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3 More info
Datasheet:
SKU: #95541969-ca23-0822-3407-d8a8de9cb17a

Condividere:  

Caratteristiche del prodotto

genere Descrizione
Stato della parte
Tipo FET
Tecnologia
Drain alla tensione della sorgente (Vdss)
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs
Vg (massimo)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
Funzione FET
Dissipazione di potenza (massima)
temperatura di esercizio
Tipo di montaggio
Pacchetto dispositivo fornitore
Pacchetto/custodia

Classificazioni ambientali ed esportative

Stato di rohs. A norma RoHS
Livello sensibilità all'umidità (MSL) Non applicabile
Stato del ciclo di vita Obsoleto / fine della vita
Categoria di riserva Stock disponibile

Potrebbe piacerti anche