genere | Descrizione |
Stato della parte | Active |
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Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 73A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vg (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (massima) | 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto/custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |