genere | Descrizione |
Stato della parte | Active |
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Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 41A (Tc) |
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3mA |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vg (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Funzione FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (massima) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS i4-PAC™ |
Pacchetto/custodia | i4-Pac™-5 (3 Leads) |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |