genere | Descrizione |
Stato della parte | Active |
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Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 100mA (Tc) |
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 25µA |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 6.9nC @ 10V |
Vg (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 54pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (massima) | 25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto/custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |