genere | Descrizione |
Stato della parte | Obsolete |
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Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 515 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vg (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (massima) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-267AB |
Pacchetto/custodia | TO-267AB |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |