genere | Descrizione |
Stato della parte | Active |
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Tipo di transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max) | 50V |
Resistenza - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistenza - Base emettitore (R2) | 47 kOhms |
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Interruzione collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | 230MHz |
Potenza - Max | 480mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto/custodia | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1412-6 |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |