genere | Descrizione |
Stato della parte | Active |
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Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
Vg (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
Funzione FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (massima) | 900mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT5 |
Pacchetto/custodia | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |