genere | Descrizione |
Stato della parte | Active |
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Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 16A, 40A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 4.38mA |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5180pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.7W, 2.5W |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto/custodia | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | HSO8-F3-B |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |