| genere | Descrizione |
| Stato della parte | Active |
|---|---|
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 1700V |
| Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
| Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 18V |
| Vg (massimo) | +22V, -6V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 184pF @ 800V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (massima) | 44W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
| Pacchetto/custodia | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Stato di rohs. | A norma RoHS |
|---|---|
| Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
| Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
| Categoria di riserva | Stock disponibile |
