genere | Descrizione |
Stato della parte | Active |
---|---|
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 1200V |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA (Typ) |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 20V |
Vg (massimo) | +25V, -10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 400V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (massima) | 270W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | HiP247™ |
Pacchetto/custodia | TO-247-3 |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
---|---|
Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |