| genere | Descrizione |
| Stato della parte | Obsolete |
|---|---|
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 6.2A (Tc) |
| Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Vg (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 10V |
| Funzione FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (massima) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto/custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Stato di rohs. | A norma RoHS |
|---|---|
| Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
| Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
| Categoria di riserva | Stock disponibile |
