genere | Descrizione |
Stato della parte | Active |
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Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 39A (Tc) |
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1.45mA |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Vg (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1680pF @ 10V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (massima) | 2W (Ta), 19W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | HSSO8-F1-B |
Pacchetto/custodia | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |