genere | Descrizione |
Stato della parte | Active |
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Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 50mA, 4V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vg (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12.2pF @ 3V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (massima) | 100mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | CST3 |
Pacchetto/custodia | SC-101, SOT-883 |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |