genere | Descrizione |
Stato della parte | Obsolete |
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Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 50V |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 175mA (Ta) |
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 100mA, 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vg (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (massima) | 625mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto/custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |