genere | Descrizione |
Stato della parte | Active |
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Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.5A, 10V, 60 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250mA (Min) |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V |
Potenza - Max | 2.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto/custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |