Transistor - FET, MOSFET - Singoli

AOD5T40P_101

AOD5T40P_101

Stock parziale: 2281

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 400V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 Ohm @ 1A, 10V,

AOD526_DELTA

AOD526_DELTA

Stock parziale: 2324

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AO4476AL_101

AO4476AL_101

Stock parziale: 6299

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

AO6085N03

AO6085N03

Stock parziale: 6236

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V,

AO4476AL

AO4476AL

Stock parziale: 2255

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

AO4476G

AO4476G

Stock parziale: 2332

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V,

AOD418G

AOD418G

Stock parziale: 2318

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 36A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

AOT240L

AOT240L

Stock parziale: 40984

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

AON7418A

AON7418A

Stock parziale: 2224

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

AON6764

AON6764

Stock parziale: 2273

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

AON6372

AON6372

Stock parziale: 6225

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,

APT5SM170S

APT5SM170S

Stock parziale: 2313

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1700V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 20V,

APT5SM170B

APT5SM170B

Stock parziale: 2239

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1700V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2.5A, 20V,

APT35SM70S

APT35SM70S

Stock parziale: 2305

Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 700V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 35A,

APT130SM70J

APT130SM70J

Stock parziale: 2271

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 700V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 78A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

APT130SM70B

APT130SM70B

Stock parziale: 2237

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 700V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

AUIRLR024ZTRL

AUIRLR024ZTRL

Stock parziale: 141585

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 9.6A, 10V,