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Transistor - Bipolari (BJT) - RF

0912-7
Microsemi Corporation

0912-7

Stock parziale: 542

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Frequenza - Transizione: 960MHz ~ 1.215GHz, Guadagno: 8.5dB, Potenza - Max: 50W,

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0910-60M
Microsemi Corporation

0910-60M

Stock parziale: 297

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 65V, Frequenza - Transizione: 890MHz ~ 1GHz, Guadagno: 8dB ~ 8.5dB, Potenza - Max: 180W,

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0910-150M
Microsemi Corporation

0910-150M

Stock parziale: 271

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 65V, Frequenza - Transizione: 890MHz ~ 1GHz, Guadagno: 8.1dB ~ 8.5dB, Potenza - Max: 400W,

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0510-50A
Microsemi Corporation

0510-50A

Stock parziale: 275

Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 27V, Frequenza - Transizione: 500MHz ~ 1GHz, Guadagno: 7dB, Potenza - Max: 50W,

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0912-45
Microsemi Corporation

0912-45

Stock parziale: 506

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Frequenza - Transizione: 960MHz ~ 1.215GHz, Guadagno: 8dB ~ 9dB, Potenza - Max: 225W,

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0204-125
Microsemi Corporation

0204-125

Stock parziale: 311

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Frequenza - Transizione: 225MHz ~ 400MHz, Guadagno: 7dB ~ 8.5dB, Potenza - Max: 270W,

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0105-50
Microsemi Corporation

0105-50

Stock parziale: 7195

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 65V, Frequenza - Transizione: 100MHz ~ 500MHz, Guadagno: 8.5dB ~ 10dB, Potenza - Max: 140W,

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0912-25
Microsemi Corporation

0912-25

Stock parziale: 7104

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 55V, Frequenza - Transizione: 960MHz ~ 1.215GHz, Guadagno: 8.5dB ~ 10dB, Potenza - Max: 125W,

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1214-300M
Microsemi Corporation

1214-300M

Stock parziale: 262

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Guadagno: 7dB, Potenza - Max: 88W,

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1214-370M
Microsemi Corporation

1214-370M

Stock parziale: 211

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 75V, Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Guadagno: 8.7dB ~ 9dB, Potenza - Max: 600W,

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1014-12
Microsemi Corporation

1014-12

Stock parziale: 453

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Frequenza - Transizione: 1GHz ~ 1.4GHz, Guadagno: 6.8dB, Potenza - Max: 39W,

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1014-6A
Microsemi Corporation

1014-6A

Stock parziale: 456

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Frequenza - Transizione: 1GHz ~ 1.4GHz, Guadagno: 7dB ~ 7.5dB, Potenza - Max: 19W,

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1214-110M
Microsemi Corporation

1214-110M

Stock parziale: 197

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 75V, Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Guadagno: 7.4dB, Potenza - Max: 270W,

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1517-110M
Microsemi Corporation

1517-110M

Stock parziale: 232

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 70V, Frequenza - Transizione: 1.48GHz ~ 1.65GHz, Guadagno: 7.3dB ~ 8.6dB, Potenza - Max: 350W,

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1517-20M
Microsemi Corporation

1517-20M

Stock parziale: 327

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 65V, Frequenza - Transizione: 1.48GHz ~ 1.65GHz, Guadagno: 7.6dB ~ 9.3dB, Potenza - Max: 175W,

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1214-220M
Microsemi Corporation

1214-220M

Stock parziale: 229

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 70V, Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Guadagno: 7.4dB, Potenza - Max: 700W,

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1090MP
Microsemi Corporation

1090MP

Stock parziale: 730

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 65V, Frequenza - Transizione: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Guadagno: 8.08dB ~ 8.5dB, Potenza - Max: 250W,

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1214-55
Microsemi Corporation

1214-55

Stock parziale: 299

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Guadagno: 7dB, Potenza - Max: 175W,

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1214-150L
Microsemi Corporation

1214-150L

Stock parziale: 225

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 65V, Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Guadagno: 7.15dB ~ 8.7dB, Potenza - Max: 320W,

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1035MP
Microsemi Corporation

1035MP

Stock parziale: 640

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 65V, Frequenza - Transizione: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Guadagno: 10dB ~ 10.5dB, Potenza - Max: 125W,

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1214-32L
Microsemi Corporation

1214-32L

Stock parziale: 285

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Guadagno: 7.8dB ~ 8.9dB, Potenza - Max: 125W,

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1214-30
Microsemi Corporation

1214-30

Stock parziale: 297

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Guadagno: 7dB, Potenza - Max: 88W,

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10502
Microsemi Corporation

10502

Stock parziale: 183

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 65V, Guadagno: 8.5dB, Potenza - Max: 1458W,

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1004MA
Microsemi Corporation

1004MA

Stock parziale: 7314

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1000MA
Microsemi Corporation

1000MA

Stock parziale: 4803

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10A015
Microsemi Corporation

10A015

Stock parziale: 849

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 24V, Frequenza - Transizione: 2.7GHz, Guadagno: 9dB ~ 9.5dB, Potenza - Max: 6W,

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10A030
Microsemi Corporation

10A030

Stock parziale: 839

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 24V, Frequenza - Transizione: 2.5GHz, Guadagno: 7.8dB ~ 8.5dB, Potenza - Max: 13W,

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1214-300
Microsemi Corporation

1214-300

Stock parziale: 287

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Guadagno: 7dB, Potenza - Max: 88W,

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1015MP
Microsemi Corporation

1015MP

Stock parziale: 890

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 65V, Frequenza - Transizione: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Guadagno: 10dB ~ 11dB, Potenza - Max: 50W,

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1075MP
Microsemi Corporation

1075MP

Stock parziale: 796

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 65V, Frequenza - Transizione: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Guadagno: 7.6dB ~ 8.5dB, Potenza - Max: 250W,

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1004MP
Microsemi Corporation

1004MP

Stock parziale: 938

Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Frequenza - Transizione: 960MHz ~ 1.215GHz, Guadagno: 7dB ~ 9dB, Potenza - Max: 7W,

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1000MP
Microsemi Corporation

1000MP

Stock parziale: 1076

Tipo di transistor: NPN, Frequenza - Transizione: 1.15GHz, Guadagno: 10.8dB, Potenza - Max: 5.3W,

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1002MP
Microsemi Corporation

1002MP

Stock parziale: 1025

Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Frequenza - Transizione: 960MHz ~ 1.215GHz, Guadagno: 8.24dB ~ 11dB, Potenza - Max: 7W,

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15GN03FA-TL-H
ON Semiconductor

15GN03FA-TL-H

Stock parziale: 122361

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15GN03MA-TL-E
ON Semiconductor

15GN03MA-TL-E

Stock parziale: 127656

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 10V, Frequenza - Transizione: 1.5GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.6dB @ 0.4GHz, Guadagno: 13dB @ 0.4GHz, Potenza - Max: 400mW,

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15GN03CA-TB-E
ON Semiconductor

15GN03CA-TB-E

Stock parziale: 120477

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 10V, Frequenza - Transizione: 1.5GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.6dB @ 0.4GHz, Guadagno: 13dB @ 0.4GHz, Potenza - Max: 200mW,

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