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Transistor - Bipolari (BJT) - RF

15GN01MA-TL-E
ON Semiconductor

15GN01MA-TL-E

Stock parziale: 176347

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 8V, Frequenza - Transizione: 1.5GHz, Potenza - Max: 400mW,

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15GN01CA-TB-E
ON Semiconductor

15GN01CA-TB-E

Stock parziale: 194654

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 8V, Frequenza - Transizione: 1.5GHz, Potenza - Max: 200mW,

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2SC5536A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5536A-TL-H

Stock parziale: 129846

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 1.7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.8dB @ 150MHz, Guadagno: 16dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5646A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5646A-TL-H

Stock parziale: 145975

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 4V, Frequenza - Transizione: 10GHz ~ 12.5GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.5dB @ 2GHz, Guadagno: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5490A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5490A-TL-H

Stock parziale: 102087

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 10V, Frequenza - Transizione: 8GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz, Guadagno: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5227A-4-TB-E
ON Semiconductor

2SC5227A-4-TB-E

Stock parziale: 149544

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 10V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1dB @ 1GHz, Guadagno: 12dB, Potenza - Max: 200mW,

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2SC5347AE-TD-E
ON Semiconductor

2SC5347AE-TD-E

Stock parziale: 107074

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 4.7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.8dB @ 1GHz, Guadagno: 8dB, Potenza - Max: 1.3W,

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10A060
Microsemi Corporation

10A060

Stock parziale: 605

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 24V, Frequenza - Transizione: 1GHz, Guadagno: 8dB ~ 8.5dB, Potenza - Max: 21W,

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2N4957UB
Microsemi Corporation

2N4957UB

Stock parziale: 2413

Tipo di transistor: PNP, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 30V, Figura di rumore (dB tipo @ f): 3.5dB @ 450MHz, Guadagno: 25dB, Potenza - Max: 200mW,

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2A8
Microsemi Corporation

2A8

Stock parziale: 697

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 21V, Frequenza - Transizione: 2GHz, Guadagno: 7dB ~ 9dB, Potenza - Max: 5.3W,

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23A025
Microsemi Corporation

23A025

Stock parziale: 549

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 22V, Frequenza - Transizione: 3.7GHz, Guadagno: 6dB ~ 6.3dB, Potenza - Max: 9W,

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2307
Microsemi Corporation

2307

Stock parziale: 648

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 42V, Frequenza - Transizione: 2.3GHz, Guadagno: 8dB, Potenza - Max: 20.5W,

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2SC4098T106P
Rohm Semiconductor

2SC4098T106P

Stock parziale: 113796

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 25V, Frequenza - Transizione: 300MHz, Potenza - Max: 200mW,

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2SC4618TLN
Rohm Semiconductor

2SC4618TLN

Stock parziale: 145036

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 25V, Frequenza - Transizione: 300MHz, Potenza - Max: 150mW,

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2SC4713KT146S
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146S

Stock parziale: 183409

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 6V, Frequenza - Transizione: 800MHz, Potenza - Max: 200mW,

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2SC4713KT146R
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146R

Stock parziale: 149510

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 6V, Frequenza - Transizione: 800MHz, Potenza - Max: 200mW,

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2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

Stock parziale: 144

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagno: 13dB, Potenza - Max: 150mW,

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2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

Stock parziale: 170

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagno: 11dB, Potenza - Max: 150mW,

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2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

Stock parziale: 171976

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 30V, Frequenza - Transizione: 550MHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Guadagno: 17dB ~ 23dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

Stock parziale: 111075

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

Stock parziale: 128600

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagno: 11dB ~ 16.5dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

Stock parziale: 121034

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

Stock parziale: 190

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

Stock parziale: 170

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

Stock parziale: 187

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 10V, Frequenza - Transizione: 10GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.8dB @ 2GHz, Guadagno: 13dB ~ 7dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

Stock parziale: 173074

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

Stock parziale: 128

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 10V, Frequenza - Transizione: 10GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.8dB @ 2GHz, Guadagno: 13dB ~ 7.5dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

Stock parziale: 124837

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 30V, Frequenza - Transizione: 550MHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Guadagno: 17dB ~ 23dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

Stock parziale: 152602

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagno: 11dB, Potenza - Max: 150mW,

Alla lista dei desideri
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

Stock parziale: 162523

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Potenza - Max: 150mW,

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2N5179
Central Semiconductor Corp

2N5179

Stock parziale: 11976

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 2GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 4.5dB @ 200MHz, Guadagno: 15dB, Potenza - Max: 200mW,

Alla lista dei desideri
2N918
Central Semiconductor Corp

2N918

Stock parziale: 11009

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 15V, Frequenza - Transizione: 600MHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 6dB @ 60kHz, Potenza - Max: 200mW,

Alla lista dei desideri
2N4427
Central Semiconductor Corp

2N4427

Stock parziale: 25708

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Frequenza - Transizione: 500MHz, Guadagno: 10dB, Potenza - Max: 1W,

Alla lista dei desideri
2N2857
Central Semiconductor Corp

2N2857

Stock parziale: 10939

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 15V, Frequenza - Transizione: 1.9GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 4.5dB @ 450MHz, Potenza - Max: 200mW,

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2SC3357-T1-A
CEL

2SC3357-T1-A

Stock parziale: 7357

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 6.5GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.8dB @ 1GHz, Guadagno: 10dB, Potenza - Max: 1.2W,

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2SC5010-T1-A
CEL

2SC5010-T1-A

Stock parziale: 7305

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 6V, Frequenza - Transizione: 12GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.5dB @ 2GHz, Guadagno: 8.5dB, Potenza - Max: 125mW,

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