Transistor - FET, MOSFET - Singoli

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Transistor - FET, MOSFET - Singoli

EPC2001

Stock parziale: 18487

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2049ENGRT

Stock parziale: 4397

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 15A, 5V,

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EPC2021

Stock parziale: 14286

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 90A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 29A, 5V,

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EPC2025

Stock parziale: 1945

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 300V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC2031

Stock parziale: 8638

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2018

Stock parziale: 8926

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 150V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC2016

Stock parziale: 50068

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 5V,

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EPC2051ENGRT

Stock parziale: 10801

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.7A, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC8004

Stock parziale: 28614

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC8009

Stock parziale: 27880

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 65V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC2030ENGRT

Stock parziale: 16295

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2007

Stock parziale: 69589

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC2015

Stock parziale: 18703

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 33A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V,

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EPC2031ENGRT

Stock parziale: 17048

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2012

Stock parziale: 54098

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC2010

Stock parziale: 9929

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC2022

Stock parziale: 14027

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2024

Stock parziale: 14687

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 37A, 5V,

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EPC2033

Stock parziale: 13722

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 150V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2032

Stock parziale: 16483

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 48A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2020

Stock parziale: 14515

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 90A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 31A, 5V,

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EPC2029

Stock parziale: 16856

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 48A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2034

Stock parziale: 7981

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 48A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 5V,

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EPC2035

Stock parziale: 195456

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 1A, 5V,

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EPC2023

Stock parziale: 18953

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 40A, 5V,

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EPC2015C

Stock parziale: 30169

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 53A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V,

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EPC2014

Stock parziale: 74091

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 5V,

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EPC2030

Stock parziale: 22960

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC8010

Stock parziale: 46864

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC2045ENGRT

Stock parziale: 26260

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 5V,

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EPC2010C

Stock parziale: 17919

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 22A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 5V,

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EPC2012C

Stock parziale: 54040

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC2001C

Stock parziale: 31126

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 36A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2202

Stock parziale: 48425

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 18A, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11A, 5V,

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EPC2019

Stock parziale: 37744

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7A, 5V,

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EPC2007C

Stock parziale: 74756

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 5V,

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