Transistor - FET, MOSFET - Singoli | Prodotti a semiconduttore discreti | 2

EPC2203

Stock parziale: 59185

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.7A, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1A, 5V,

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EPC

EPC2014C

Stock parziale: 107624

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 5V,

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EPC

EPC8002

Stock parziale: 49093

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 65V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC

EPC2037

Stock parziale: 128582

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 100mA, 5V,

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EPC

EPC2040

Stock parziale: 113264

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 15V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 1.5A, 5V,

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EPC

EPC2039

Stock parziale: 105727

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC

EPC2016C

Stock parziale: 65843

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 5V,

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EPC

EPC2038

Stock parziale: 148654

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 50mA, 5V,

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EPC

EPC2036

Stock parziale: 150786

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 5V,

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