Menu
ItaliaItalia
Rfqs / ordine
0Rfqs / ordine

Memoria

MR4A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.

MR4A08BCMA35

Stock parziale: 2109

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR4A08BMA35
Everspin Technologies Inc.

MR4A08BMA35

Stock parziale: 2272

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR4A16BCMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCMA35R

Stock parziale: 2946

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR4A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.

MR4A08BCYS35

Stock parziale: 2131

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR4A16BCYS35
Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCYS35

Stock parziale: 2120

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR4A16BCMA35
Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCMA35

Stock parziale: 2128

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR4A16BMA35
Everspin Technologies Inc.

MR4A16BMA35

Stock parziale: 2205

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR4A16BCYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCYS35R

Stock parziale: 2969

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR4A16BMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A16BMA35R

Stock parziale: 3209

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR4A08BCMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A08BCMA35R

Stock parziale: 2941

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR4A08BMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A08BMA35R

Stock parziale: 3193

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR4A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A08BCYS35R

Stock parziale: 2936

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR4A16BYS35
Everspin Technologies Inc.

MR4A16BYS35

Stock parziale: 2288

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR25H40MDF
Everspin Technologies Inc.

MR25H40MDF

Stock parziale: 4036

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Frequenza di clock: 40MHz,

Lista dei desideri
MR4A08BYS35
Everspin Technologies Inc.

MR4A08BYS35

Stock parziale: 2220

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A16AVYS35
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVYS35

Stock parziale: 2698

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A16AVMA35
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVMA35

Stock parziale: 2651

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A16ACMA35
Everspin Technologies Inc.

MR2A16ACMA35

Stock parziale: 3023

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A16ACYS35
Everspin Technologies Inc.

MR2A16ACYS35

Stock parziale: 3047

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A16AVMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVMA35R

Stock parziale: 3824

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A08ACYS35
Everspin Technologies Inc.

MR2A08ACYS35

Stock parziale: 3049

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR4A16BYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A16BYS35R

Stock parziale: 3172

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A08ACMA35
Everspin Technologies Inc.

MR2A08ACMA35

Stock parziale: 3074

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A08AYS35
Everspin Technologies Inc.

MR2A08AYS35

Stock parziale: 3343

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR25H40MDFR
Everspin Technologies Inc.

MR25H40MDFR

Stock parziale: 5891

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Frequenza di clock: 40MHz,

Lista dei desideri
MR2A08AMYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A08AMYS35R

Stock parziale: 3635

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A16AMA35
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AMA35

Stock parziale: 3314

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A16AMYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AMYS35R

Stock parziale: 3625

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A16AMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AMA35R

Stock parziale: 4676

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A16AYS35
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AYS35

Stock parziale: 3300

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A08AMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A08AMA35R

Stock parziale: 4722

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A08ACMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A08ACMA35R

Stock parziale: 4344

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A16ACMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A16ACMA35R

Stock parziale: 4318

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A16AMYS35
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AMYS35

Stock parziale: 3373

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A08AMA35
Everspin Technologies Inc.

MR2A08AMA35

Stock parziale: 4378

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri
MR2A16AVYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVYS35R

Stock parziale: 3774

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

Lista dei desideri