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Memoria

MR4A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A08BYS35R

Stock parziale: 3120

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR2A08AMYS35
Everspin Technologies Inc.

MR2A08AMYS35

Stock parziale: 3372

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR25H40CDC
Everspin Technologies Inc.

MR25H40CDC

Stock parziale: 5195

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Frequenza di clock: 40MHz,

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MR20H40CDF
Everspin Technologies Inc.

MR20H40CDF

Stock parziale: 4347

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Frequenza di clock: 50MHz,

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MR2A08ACYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A08ACYS35R

Stock parziale: 4312

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR2A16AYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AYS35R

Stock parziale: 4540

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR2A08AYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A08AYS35R

Stock parziale: 4595

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR2A16ACYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A16ACYS35R

Stock parziale: 4271

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR25H40CDF
Everspin Technologies Inc.

MR25H40CDF

Stock parziale: 5178

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Frequenza di clock: 40MHz,

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MR256A08BSO35R
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BSO35R

Stock parziale: 5055

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR20H40CDFR
Everspin Technologies Inc.

MR20H40CDFR

Stock parziale: 6410

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Frequenza di clock: 50MHz,

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MR0A16AVMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AVMA35R

Stock parziale: 7143

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR20H40DF
Everspin Technologies Inc.

MR20H40DF

Stock parziale: 7092

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Frequenza di clock: 50MHz,

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MR0A08BSO35
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BSO35

Stock parziale: 8800

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR20H40DFR
Everspin Technologies Inc.

MR20H40DFR

Stock parziale: 7150

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Frequenza di clock: 50MHz,

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MR0D08BMA45
Everspin Technologies Inc.

MR0D08BMA45

Stock parziale: 6312

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns,

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MR0A16AVMA35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AVMA35

Stock parziale: 6821

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR0A16ACYS35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16ACYS35

Stock parziale: 5925

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR0A16ACMA35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16ACMA35

Stock parziale: 5961

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR0A16AMYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AMYS35R

Stock parziale: 5945

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR0A16AMYS35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AMYS35

Stock parziale: 5660

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR25H40CDCR
Everspin Technologies Inc.

MR25H40CDCR

Stock parziale: 7730

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Frequenza di clock: 40MHz,

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MR0A16AYS35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AYS35

Stock parziale: 6355

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR0D08BMA45R
Everspin Technologies Inc.

MR0D08BMA45R

Stock parziale: 8875

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns,

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MR0A08BCSO35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BCSO35R

Stock parziale: 3075

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR25H40CDFR
Everspin Technologies Inc.

MR25H40CDFR

Stock parziale: 7694

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8), Frequenza di clock: 40MHz,

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MR0A16ACMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16ACMA35R

Stock parziale: 8325

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR0A08BCSO35
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BCSO35

Stock parziale: 3017

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR256A08BCSO35
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BCSO35

Stock parziale: 3064

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR0A08BYS35
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BYS35

Stock parziale: 6281

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR256A08BCSO35R
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BCSO35R

Stock parziale: 385

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR0A16AMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AMA35R

Stock parziale: 8881

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR0A08BSO35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BSO35R

Stock parziale: 8910

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR0DL08BMA45R
Everspin Technologies Inc.

MR0DL08BMA45R

Stock parziale: 8487

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns,

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MR256A08BSO35
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BSO35

Stock parziale: 8920

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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MR0A16AVYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AVYS35R

Stock parziale: 7108

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: RAM, Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns,

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