Diodi - Raddrizzatori - Array | Prodotti a semiconduttore discreti | 25

MBR20040CTR

Stock parziale: 1522

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT600100

Stock parziale: 943

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT500150

Stock parziale: 1136

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 250A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR60045CTR

Stock parziale: 809

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 45V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A150

Stock parziale: 3665

Configurazione diodo: 2 Independent, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR50035CTR

Stock parziale: 1190

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 35V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA20060

Stock parziale: 945

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 100A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A180

Stock parziale: 3068

Configurazione diodo: 2 Independent, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 180V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A120

Stock parziale: 3870

Configurazione diodo: 2 Independent, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 120V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR20060CTR

Stock parziale: 1240

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A080

Stock parziale: 3284

Configurazione diodo: 2 Independent, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 80V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A080

Stock parziale: 4139

Configurazione diodo: 2 Independent, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 80V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A060

Stock parziale: 3894

Configurazione diodo: 2 Independent, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT120150

Stock parziale: 1838

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT20060R

Stock parziale: 1368

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT30060R

Stock parziale: 1244

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12080CTR

Stock parziale: 1544

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 80V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST16060

Stock parziale: 1480

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 160A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 160A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA60060

Stock parziale: 1000

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT30020

Stock parziale: 1086

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT10080(A)D

Stock parziale: 1907

Configurazione diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR120200CT

Stock parziale: 1554

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60040

Stock parziale: 956

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12040CTR

Stock parziale: 1504

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT12060R

Stock parziale: 1881

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT40060R

Stock parziale: 1366

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR40045CT

Stock parziale: 1238

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 45V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR50080CT

Stock parziale: 1182

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 80V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT30060R

Stock parziale: 1172

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST10045

Stock parziale: 1532

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 45V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT40035

Stock parziale: 1119

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 35V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR20020CTR

Stock parziale: 1203

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A12

Stock parziale: 2901

Configurazione diodo: 2 Independent, Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1200V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA400120R

Stock parziale: 958

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1200V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.6V @ 200A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR20040CT

Stock parziale: 1562

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR30040CT

Stock parziale: 1442

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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