Transistor - FET, MOSFET - Singoli | Prodotti a semiconduttore discreti | 1

IXFH6N100F

Stock parziale: 6599

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1000V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3A, 10V,

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IXYS-RF

IXFH12N100F

Stock parziale: 125

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1000V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 6A, 10V,

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IXYS-RF

IXFX21N100F

Stock parziale: 3059

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1000V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 10.5A, 10V,

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IXFX24N100F

Stock parziale: 2464

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1000V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 12A, 10V,

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IXRFSM12N100

Stock parziale: 614

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1000V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 6A, 15V,

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IXYS-RF

IXFK21N100F

Stock parziale: 2862

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1000V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 10.5A, 10V,

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IXFT6N100F

Stock parziale: 5466

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1000V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3A, 10V,

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IXYS-RF

IXFH21N50F

Stock parziale: 5374

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10.5A, 10V,

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IXFK55N50F

Stock parziale: 2379

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 27.5A, 10V,

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IXFN55N50F

Stock parziale: 1580

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 27.5A, 10V,

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IXRFSM18N50

Stock parziale: 628

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 9.5A, 20V,

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IXFN24N100F

Stock parziale: 1582

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1000V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 12A, 10V,

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IXFK24N100F

Stock parziale: 2428

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1000V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 12A, 10V,

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IXFH12N50F

Stock parziale: 6291

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

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IXFT12N100F

Stock parziale: 5101

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1000V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 6A, 10V,

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IXYS-RF

IXFX55N50F

Stock parziale: 2357

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 27.5A, 10V,

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IXFK44N50F

Stock parziale: 2210

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V,

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