Diodi - Raddrizzatori - Array | Prodotti a semiconduttore discreti | 1

SS275TI12205

Stock parziale: 747

Configurazione diodo: 3 Independent, Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1200V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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IXYS-RF

SS150TC60110

Stock parziale: 709

Configurazione diodo: 3 Common Cathode, Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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IXYS-RF

SS150TA60110

Stock parziale: 733

Configurazione diodo: 3 Common Anode, Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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SS275TA12205

Stock parziale: 711

Configurazione diodo: 3 Common Anode, Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1200V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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SS275TC12205

Stock parziale: 751

Configurazione diodo: 3 Common Cathode, Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1200V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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SS150TI60110

Stock parziale: 671

Configurazione diodo: 3 Independent, Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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