Transistor - Bipolari (BJT) - RF | Prodotti a semiconduttore discreti | 1

MAX2601ESA+T

Stock parziale: 27552

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 15V, Frequenza - Transizione: 1GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 3.3dB @ 836MHz, Guadagno: 11.6dB, Potenza - Max: 6.4W,

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Maxim Integrated

MAX2601ESA-T

Stock parziale: 7213

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 15V, Frequenza - Transizione: 1GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 3.3dB @ 836MHz, Guadagno: 11.6dB, Potenza - Max: 6.4W,

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Maxim Integrated

MAX2601ESA+

Stock parziale: 17948

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 15V, Frequenza - Transizione: 1GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 3.3dB @ 836MHz, Guadagno: 11.6dB, Potenza - Max: 6.4W,

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Maxim Integrated

MAX2602ESA+

Stock parziale: 17619

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 15V, Frequenza - Transizione: 1GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 3.3dB @ 836MHz, Guadagno: 11.6dB, Potenza - Max: 6.4W,

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Maxim Integrated

MAX2602ESA-T

Stock parziale: 7183

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 15V, Frequenza - Transizione: 1GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 3.3dB @ 836MHz, Guadagno: 11.6dB, Potenza - Max: 6.4W,

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Maxim Integrated

MAX2602ESA+T

Stock parziale: 27102

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 15V, Frequenza - Transizione: 1GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 3.3dB @ 836MHz, Guadagno: 11.6dB, Potenza - Max: 6.4W,

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