Transistor - FET, MOSFET - Singoli | Prodotti a semiconduttore discreti | 6

2N6661

Stock parziale: 6316

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 90V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

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2N7008-G

Stock parziale: 138197

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

2N6660

Stock parziale: 6315

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 410mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

2N7002-G

Stock parziale: 134471

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 115mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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2N7000-G

Stock parziale: 187823

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 200mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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VP0550N3-G-P013

Stock parziale: 53675

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 54mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 Ohm @ 10mA, 10V,

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TN2540N3-G-P002

Stock parziale: 74193

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 400V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 175mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

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MCP87030T-U/MF

Stock parziale: 103880

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

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MCP87050T-U/MF

Stock parziale: 146526

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

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VN0300L-G-P002

Stock parziale: 81152

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 640mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1A, 10V,

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VN1206L-G-P002

Stock parziale: 58212

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 120V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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TN0620N3-G-P002

Stock parziale: 71231

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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TN2130K1-G

Stock parziale: 145339

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 300V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 85mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 4.5V,

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VN0104N3-G-P013

Stock parziale: 139578

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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TN2640LG-G

Stock parziale: 51374

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 400V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 260mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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VP2206N3-G-P003

Stock parziale: 46577

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 640mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

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TP2502N8-G

Stock parziale: 77492

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 630mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

TP2435N8-G

Stock parziale: 67130

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 350V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 231mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 500mA, 10V,

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MCP87022T-U/MF

Stock parziale: 69227

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

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TN0610N3-G-P013

Stock parziale: 89494

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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LND150N3-G-P013

Stock parziale: 183588

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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DN1509N8-G

Stock parziale: 131170

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 90V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 360mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

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TN0106N3-G-P003

Stock parziale: 112566

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TN0604N3-G-P013

Stock parziale: 87261

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 700mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

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MCP87090T-U/LC

Stock parziale: 199305

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10V,

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DN2535N3-G-P013

Stock parziale: 124551

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 350V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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LND150N3-G-P014

Stock parziale: 183620

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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TN0610N3-G-P003

Stock parziale: 89433

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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TP2424N8-G

Stock parziale: 69759

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 240V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 316mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

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MCP87090T-U/MF

Stock parziale: 183616

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10V,

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TN0104N3-G-P014

Stock parziale: 96882

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

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TP2520N8-G

Stock parziale: 72715

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 260mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

VN10KN3-G-P014

Stock parziale: 174398

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 310mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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VN2460N3-G-P003

Stock parziale: 77538

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 160mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

TN2425N8-G

Stock parziale: 77566

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 480mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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MIC94051YM4-TR

Stock parziale: 191644

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 6V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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