Transistor - FET, MOSFET - Singoli

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Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Microchip Technology

VP0104N3-G

Stock parziale: 97651

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2210N2

Stock parziale: 5656

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.7A (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 4A, 10V,

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Microchip Technology

DN2535N5-G

Stock parziale: 55532

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 350V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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Microchip Technology

VP3203N3-G

Stock parziale: 50933

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 650mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3A, 10V,

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Microchip Technology

VN2410L-G

Stock parziale: 80527

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 240V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 190mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VN1206L-G

Stock parziale: 46073

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 120V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VP0808L-G

Stock parziale: 48896

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 280mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

VN10KN3-G

Stock parziale: 155843

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 310mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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TN2640N3-G

Stock parziale: 48844

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 400V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 220mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VP0109N3-G

Stock parziale: 85226

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 90V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TN0620N3-G

Stock parziale: 57680

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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LP0701N3-G

Stock parziale: 50856

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 16.5V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 300mA, 5V,

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TP2535N3-G

Stock parziale: 55067

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 350V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 86mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

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DN2535N3-G

Stock parziale: 103180

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 350V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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Microchip Technology

VP0106N3-G

Stock parziale: 93914

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VP0550N3-G

Stock parziale: 42651

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 54mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 Ohm @ 10mA, 10V,

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VN2224N3-G

Stock parziale: 5195

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 240V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 540mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2A, 10V,

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VN2406L-G

Stock parziale: 50949

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 240V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 190mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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TN0110N3-G

Stock parziale: 80557

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

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TN2540N3-G

Stock parziale: 60070

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 400V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 175mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TP0606N3-G

Stock parziale: 85187

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 320mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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TN2106N3-G

Stock parziale: 138203

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 300mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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VN0300L-G

Stock parziale: 66028

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 640mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1A, 10V,

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VN0106N3-G

Stock parziale: 114421

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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VP2206N3-G

Stock parziale: 36646

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 640mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

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TN0104N3-G

Stock parziale: 80546

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

VN0550N3-G

Stock parziale: 50942

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 50mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2210N3-G

Stock parziale: 37833

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 4A, 10V,

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Microchip Technology

TP2104N3-G

Stock parziale: 120130

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 175mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

DN2530N3-G

Stock parziale: 118177

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 300V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 175mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 150mA, 0V,

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Microchip Technology

VN0109N3-G

Stock parziale: 111017

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 90V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

TN5325N3-G

Stock parziale: 126306

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 215mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

LND150N3-G

Stock parziale: 155894

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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Microchip Technology

DN2450K4-G

Stock parziale: 146586

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 300mA, 0V,

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Microchip Technology

VN0104N3-G

Stock parziale: 120143

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

MIC94031CYW

Stock parziale: 2194

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 16V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

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