Transistor - FET, MOSFET - Singoli | Prodotti a semiconduttore discreti | 32

BUK7Y113-100EX

Stock parziale: 131683

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BSH108,215

Stock parziale: 127505

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9Y58-75B,115

Stock parziale: 134944

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 75V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20.73A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 10A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7Y102-100B,115

Stock parziale: 138695

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7Y25-40B,115

Stock parziale: 7369

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 35.3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9Y27-40B,115

Stock parziale: 122280

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 15A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9Y29-40E,115

Stock parziale: 147992

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9Y107-80EX

Stock parziale: 180793

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7Y29-40EX

Stock parziale: 197115

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9M120-100EX

Stock parziale: 152471

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7Y98-80EX

Stock parziale: 113126

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12.3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9M17-30EX

Stock parziale: 106794

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9Y59-60E,115

Stock parziale: 148872

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9M42-60EX

Stock parziale: 194730

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7M33-60EX

Stock parziale: 138424

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7M21-40EX

Stock parziale: 165595

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7M42-60EX

Stock parziale: 137994

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9M53-60EX

Stock parziale: 127342

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BSS138BK,215

Stock parziale: 197360

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 350mA, 10V,

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BSS138P,215

Stock parziale: 102987

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 300mA, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9M52-40EX

Stock parziale: 103987

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 17.6A, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7M45-40EX

Stock parziale: 141990

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9M85-60EX

Stock parziale: 159357

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7M67-60EX

Stock parziale: 153573

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK78150-55A/CUF

Stock parziale: 131273

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BST82,215

Stock parziale: 101245

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

BST82,235

Stock parziale: 107320

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

BSH105,215

Stock parziale: 108156

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.05A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

BSH103,235

Stock parziale: 166503

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 850mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

BSS84AKMB,315

Stock parziale: 134438

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 50V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BSH105,235

Stock parziale: 159462

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.05A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

BSS84,215

Stock parziale: 112337

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 50V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 130mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 130mA, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BSH205G2VL

Stock parziale: 115126

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2A, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

BSS84AKW,115

Stock parziale: 194336

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 50V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BSS138PW,115

Stock parziale: 186845

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 300mA, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BSS138BKVL

Stock parziale: 131071

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 350mA, 10V,

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