Transistor - Bipolari (BJT) - Array, Pre-polarizza | Prodotti a semiconduttore discreti | 1

PBLS1504V,115

Stock parziale: 1472

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 15V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

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NXP USA Inc.

PBLS4001V,115

Stock parziale: 1384

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 40V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

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NXP USA Inc.

PBLS4002V,115

Stock parziale: 1498

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 40V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

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NXP USA Inc.

PBLS2003S,115

Stock parziale: 1383

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 3A, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 20V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V,

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NXP USA Inc.

PBLS4005V,115

Stock parziale: 1428

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 40V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

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NXP USA Inc.

PBLS4003V,115

Stock parziale: 1458

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 40V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V,

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NXP USA Inc.

PBLS2002S,115

Stock parziale: 1539

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 3A, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 20V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V,

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NXP USA Inc.

PBLS2001S,115

Stock parziale: 1488

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 3A, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 20V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V,

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NXP USA Inc.

PUML1,115

Stock parziale: 1500

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 200mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 210 @ 2mA, 10V,

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NXP USA Inc.

PBLS4004V,115

Stock parziale: 1464

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 40V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

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NXP USA Inc.

PBLS1503V,115

Stock parziale: 1388

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 15V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V,

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NXP USA Inc.

PBLS1502V,115

Stock parziale: 1399

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 15V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

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