Diodi - Raddrizzatori - Singoli | Prodotti a semiconduttore discreti | 2

1PS193,115

Stock parziale: 1062

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 80V, Corrente - Media Rettificata (Io): 215mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

1PS193,135

Stock parziale: 5187

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 80V, Corrente - Media Rettificata (Io): 215mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

1N914B,113

Stock parziale: 348

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo di recupero inverso (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

1N4148,113

Stock parziale: 9942

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo di recupero inverso (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

1N4148,143

Stock parziale: 9977

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo di recupero inverso (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

1N4148,133

Stock parziale: 9978

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo di recupero inverso (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

1PS59SB20,115

Stock parziale: 9887

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NXP USA Inc.

1N4448,113

Stock parziale: 9889

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo di recupero inverso (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

1N4448,143

Stock parziale: 9886

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo di recupero inverso (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

1PS59SB10,115

Stock parziale: 9579

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo di recupero inverso (trr): 5ns,

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NXP USA Inc.

BAT54T,115

Stock parziale: 1894

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo di recupero inverso (trr): 5ns,

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NXP USA Inc.

BAS116T,115

Stock parziale: 1894

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 75V, Corrente - Media Rettificata (Io): 215mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 3µs,

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NXP USA Inc.

BYC8B-600PQP

Stock parziale: 1423

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.4V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 18ns,

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NXP USA Inc.

BY229X-800,127

Stock parziale: 1511

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 135ns,

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NXP USA Inc.

BYD17G,115

Stock parziale: 1052

Tipo di diodo: Avalanche, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 3µs,

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NXP USA Inc.

BAW62,133

Stock parziale: 1029

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 75V, Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

BY229-600,127

Stock parziale: 496

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 500V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 135ns,

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NXP USA Inc.

BAT254,115

Stock parziale: 478

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo di recupero inverso (trr): 5ns,

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NXP USA Inc.

BYD17K,135

Stock parziale: 390

Tipo di diodo: Avalanche, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 3µs,

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NXP USA Inc.

BYD77D,115

Stock parziale: 303

Tipo di diodo: Avalanche, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 850mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 25ns,

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NXP USA Inc.

BYD37M,115

Stock parziale: 388

Tipo di diodo: Avalanche, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1000V, Corrente - Media Rettificata (Io): 600mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 300ns,

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NXP USA Inc.

BYD77B,115

Stock parziale: 365

Tipo di diodo: Avalanche, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 850mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 25ns,

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NXP USA Inc.

BYD17J,115

Stock parziale: 375

Tipo di diodo: Avalanche, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 3µs,

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NXP USA Inc.

BYD17D,115

Stock parziale: 296

Tipo di diodo: Avalanche, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 3µs,

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NXP USA Inc.

BY329X-1200,127

Stock parziale: 9889

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 145ns,

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NXP USA Inc.

BY329-1500S,127

Stock parziale: 9919

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1500V, Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 6.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 160ns,

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NXP USA Inc.

BAS216,115

Stock parziale: 9921

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 75V, Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

BY359-1500,127

Stock parziale: 9954

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1500V, Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 600ns,

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NXP USA Inc.

BAS216,135

Stock parziale: 9878

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 75V, Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

BAS16T,115

Stock parziale: 9970

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 155mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo di recupero inverso (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

BAW62,113

Stock parziale: 9968

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 75V, Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

BAW62,143

Stock parziale: 9956

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 75V, Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

BAS316/ZLX

Stock parziale: 9620

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 215mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

BAS40/ZLVL

Stock parziale: 9547

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 120mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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NXP USA Inc.

BAS321/ZLX

Stock parziale: 9538

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 50ns,

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NXP USA Inc.

BAS321/ZLF

Stock parziale: 9610

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 50ns,

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