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Diodi - Capacità variabile (Varicaps, Varac

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SVC203C-TB-E
ON Semiconductor

SVC203C-TB-E

Stock parziale: 178025

Capacità @ Vr, F: 13.4pF @ 9V, 1MHz, Rapporto di capacità: 4.6, Condizione del rapporto di capacità: C1/C9, Tensione - Picco inverso (Max): 16V, Tipo di diodo: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 60 @ 3V, 100MHz,

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MMBV109LT3G
ON Semiconductor

MMBV109LT3G

Stock parziale: 7476

Capacità @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapporto di capacità: 6.5, Condizione del rapporto di capacità: C3/C25, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MMBV409LT1
ON Semiconductor

MMBV409LT1

Stock parziale: 4762

Capacità @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapporto di capacità: 1.9, Condizione del rapporto di capacità: C3/C8, Tensione - Picco inverso (Max): 20V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MMBV3102LT1
ON Semiconductor

MMBV3102LT1

Stock parziale: 7497

Capacità @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, Rapporto di capacità: 4.8, Condizione del rapporto di capacità: C3/C25, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MMBV809LT3G
ON Semiconductor

MMBV809LT3G

Stock parziale: 7496

Capacità @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Rapporto di capacità: 2.6, Condizione del rapporto di capacità: C2/C8, Tensione - Picco inverso (Max): 20V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

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MV104G
ON Semiconductor

MV104G

Stock parziale: 7467

Capacità @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz, Rapporto di capacità: 2.8, Condizione del rapporto di capacità: C3/C30, Tensione - Picco inverso (Max): 32V, Tipo di diodo: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz,

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MMBV105GLT1G
ON Semiconductor

MMBV105GLT1G

Stock parziale: 7457

Capacità @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, Rapporto di capacità: 6.5, Condizione del rapporto di capacità: C3/C25, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,

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MMBV2108LT1G
ON Semiconductor

MMBV2108LT1G

Stock parziale: 7478

Capacità @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3.2, Condizione del rapporto di capacità: C2/C30, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,

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MMBV409LT1G
ON Semiconductor

MMBV409LT1G

Stock parziale: 7505

Capacità @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapporto di capacità: 1.9, Condizione del rapporto di capacità: C3/C8, Tensione - Picco inverso (Max): 20V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MMBV2105LT1
ON Semiconductor

MMBV2105LT1

Stock parziale: 7497

Capacità @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3.2, Condizione del rapporto di capacità: C2/C30, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

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MV209G
ON Semiconductor

MV209G

Stock parziale: 7434

Capacità @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapporto di capacità: 6.5, Condizione del rapporto di capacità: C3/C25, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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SVC236-TB-E
ON Semiconductor

SVC236-TB-E

Stock parziale: 172795

Capacità @ Vr, F: 16.84pF @ 6.5V, 1MHz, Rapporto di capacità: 5, Condizione del rapporto di capacità: C1/C6.5, Tensione - Picco inverso (Max): 16V, Tipo di diodo: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 70 @ 3V, 100MHz,

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MMBV105GLT1
ON Semiconductor

MMBV105GLT1

Stock parziale: 7466

Capacità @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, Rapporto di capacità: 6.5, Condizione del rapporto di capacità: C3/C25, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,

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MV2105
ON Semiconductor

MV2105

Stock parziale: 4830

Capacità @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3.2, Condizione del rapporto di capacità: C2/C30, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

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SVC230-TB-E
ON Semiconductor

SVC230-TB-E

Stock parziale: 129142

Capacità @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, Rapporto di capacità: 1.75, Condizione del rapporto di capacità: C2/C8, Tensione - Picco inverso (Max): 16V, Tipo di diodo: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,

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MV2101
ON Semiconductor

MV2101

Stock parziale: 7532

Capacità @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3.2, Condizione del rapporto di capacità: C2/C30, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

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MMVL109T1G
ON Semiconductor

MMVL109T1G

Stock parziale: 7529

Capacità @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapporto di capacità: 6.5, Condizione del rapporto di capacità: C3/C25, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MMBV2105LT1G
ON Semiconductor

MMBV2105LT1G

Stock parziale: 7480

Capacità @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3.2, Condizione del rapporto di capacità: C2/C30, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

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MMVL809T1G
ON Semiconductor

MMVL809T1G

Stock parziale: 7476

Capacità @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Rapporto di capacità: 2.6, Condizione del rapporto di capacità: C2/C8, Tensione - Picco inverso (Max): 20V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

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MMBV2108LT1
ON Semiconductor

MMBV2108LT1

Stock parziale: 7527

Capacità @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3.2, Condizione del rapporto di capacità: C2/C30, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,

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SVC270-TL-E
ON Semiconductor

SVC270-TL-E

Stock parziale: 119447

Capacità @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, Rapporto di capacità: 1.75, Condizione del rapporto di capacità: C2/C8, Tensione - Picco inverso (Max): 16V, Tipo di diodo: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,

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SVC272-TL-E
ON Semiconductor

SVC272-TL-E

Stock parziale: 157486

Capacità @ Vr, F: 18.55pF @ 8V, 1MHz, Rapporto di capacità: 2.3, Condizione del rapporto di capacità: C2/C8, Tensione - Picco inverso (Max): 16V, Tipo di diodo: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,

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SVC383T-TL-E
ON Semiconductor

SVC383T-TL-E

Stock parziale: 7528

Capacità @ Vr, F: 27pF @ 6.5V, 1MHz, Rapporto di capacità: 24.5, Condizione del rapporto di capacità: C1/C6.5, Tensione - Picco inverso (Max): 33V, Tipo di diodo: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 1V, 1MHz,

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MMBV109LT1G
ON Semiconductor

MMBV109LT1G

Stock parziale: 7474

Capacità @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapporto di capacità: 6.5, Condizione del rapporto di capacità: C3/C25, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MMBV2109LT1
ON Semiconductor

MMBV2109LT1

Stock parziale: 7496

Capacità @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3.2, Condizione del rapporto di capacità: C2/C30, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

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MMBV609LT1
ON Semiconductor

MMBV609LT1

Stock parziale: 7446

Capacità @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapporto di capacità: 2.4, Condizione del rapporto di capacità: C3/C8, Tensione - Picco inverso (Max): 20V, Tipo di diodo: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 450 @ 3V, 50MHz,

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MMBV432LT1
ON Semiconductor

MMBV432LT1

Stock parziale: 7461

Capacità @ Vr, F: 48.1pF @ 2V, 1MHz, Rapporto di capacità: 2, Condizione del rapporto di capacità: C2/C8, Tensione - Picco inverso (Max): 14V, Tipo di diodo: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,

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MMBV2109LT1G
ON Semiconductor

MMBV2109LT1G

Stock parziale: 7468

Capacità @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3.2, Condizione del rapporto di capacità: C2/C30, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

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MV2109G
ON Semiconductor

MV2109G

Stock parziale: 7495

Capacità @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3.2, Condizione del rapporto di capacità: C2/C30, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

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MMVL2101T1G
ON Semiconductor

MMVL2101T1G

Stock parziale: 7502

Capacità @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3.2, Condizione del rapporto di capacità: C2/C30, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

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MMBV2101LT1G
ON Semiconductor

MMBV2101LT1G

Stock parziale: 7426

Capacità @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3.2, Condizione del rapporto di capacità: C2/C30, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

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MMBV2107LT1
ON Semiconductor

MMBV2107LT1

Stock parziale: 4758

Capacità @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3.2, Condizione del rapporto di capacità: C2/C30, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,

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MMBV109LT3
ON Semiconductor

MMBV109LT3

Stock parziale: 7449

Capacità @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapporto di capacità: 6.5, Condizione del rapporto di capacità: C3/C25, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MV2109RLRAG
ON Semiconductor

MV2109RLRAG

Stock parziale: 7459

Capacità @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3.2, Condizione del rapporto di capacità: C2/C30, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

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MMBV809LT1
ON Semiconductor

MMBV809LT1

Stock parziale: 7482

Capacità @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Rapporto di capacità: 2.6, Condizione del rapporto di capacità: C2/C8, Tensione - Picco inverso (Max): 20V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

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MMBV2107LT1G
ON Semiconductor

MMBV2107LT1G

Stock parziale: 7528

Capacità @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3.2, Condizione del rapporto di capacità: C2/C30, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,

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