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Transistor - Unigiunzione programmabile

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2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

Stock parziale: 2509

Voltaggio: 40V, Dissipazione di potenza (massima): 300mW, Tensione - Uscita: 11V, Tensione - Offset (Vt): 600mV, Corrente - Perdita dal cancello all'anodo (Igao): 10nA, Corrente - Valle (Iv): 25µA,

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2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

Stock parziale: 2537

Voltaggio: 40V, Dissipazione di potenza (massima): 300mW, Tensione - Uscita: 11V, Tensione - Offset (Vt): 600mV, Corrente - Perdita dal cancello all'anodo (Igao): 10nA, Corrente - Valle (Iv): 25µA,

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2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

Stock parziale: 2538

Voltaggio: 40V, Dissipazione di potenza (massima): 300mW, Tensione - Uscita: 11V, Tensione - Offset (Vt): 1.6V, Corrente - Perdita dal cancello all'anodo (Igao): 10nA, Corrente - Valle (Iv): 50µA,

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2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

Stock parziale: 2531

Voltaggio: 40V, Dissipazione di potenza (massima): 300mW, Tensione - Uscita: 11V, Tensione - Offset (Vt): 600mV, Corrente - Perdita dal cancello all'anodo (Igao): 10nA, Corrente - Valle (Iv): 25µA,

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2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

Stock parziale: 2482

Voltaggio: 40V, Dissipazione di potenza (massima): 300mW, Tensione - Uscita: 11V, Tensione - Offset (Vt): 1.6V, Corrente - Perdita dal cancello all'anodo (Igao): 10nA, Corrente - Valle (Iv): 50µA,

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2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

Stock parziale: 2534

Voltaggio: 40V, Dissipazione di potenza (massima): 300mW, Tensione - Uscita: 11V, Tensione - Offset (Vt): 600mV, Corrente - Perdita dal cancello all'anodo (Igao): 10nA, Corrente - Valle (Iv): 25µA,

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2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

Stock parziale: 2493

Voltaggio: 40V, Dissipazione di potenza (massima): 300mW, Tensione - Uscita: 11V, Tensione - Offset (Vt): 1.6V, Corrente - Perdita dal cancello all'anodo (Igao): 10nA, Corrente - Valle (Iv): 50µA,

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2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

Stock parziale: 2505

Voltaggio: 40V, Dissipazione di potenza (massima): 300mW, Tensione - Uscita: 11V, Tensione - Offset (Vt): 600mV, Corrente - Perdita dal cancello all'anodo (Igao): 10nA, Corrente - Valle (Iv): 25µA,

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2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

Stock parziale: 2518

Voltaggio: 40V, Dissipazione di potenza (massima): 300mW, Tensione - Uscita: 11V, Tensione - Offset (Vt): 1.6V, Corrente - Perdita dal cancello all'anodo (Igao): 10nA, Corrente - Valle (Iv): 50µA,

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2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

Stock parziale: 2522

Voltaggio: 40V, Dissipazione di potenza (massima): 300mW, Tensione - Uscita: 11V, Tensione - Offset (Vt): 600mV, Corrente - Perdita dal cancello all'anodo (Igao): 10nA, Corrente - Valle (Iv): 25µA,

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2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

Stock parziale: 2457

Voltaggio: 40V, Dissipazione di potenza (massima): 300mW, Tensione - Uscita: 11V, Tensione - Offset (Vt): 1.6V, Corrente - Perdita dal cancello all'anodo (Igao): 10nA, Corrente - Valle (Iv): 50µA,

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