Transistor - FET, MOSFET - Singoli

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Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Rohm Semiconductor

RS1E130GNTB

Stock parziale: 112458

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 13A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RQ3E120ATTB

Stock parziale: 117527

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RQ3E130BNTB

Stock parziale: 197991

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 13A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RS1G180MNTB

Stock parziale: 118932

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 18A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RQ3G150GNTB

Stock parziale: 147186

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 15A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RS1E180BNTB

Stock parziale: 170368

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 18A, 10V,

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Rohm Semiconductor

R6011KNJTL

Stock parziale: 69650

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 3.8A, 10V,

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Rohm Semiconductor

R6007ENJTL

Stock parziale: 83511

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 2.4A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RF4E080BNTR

Stock parziale: 151313

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6 mOhm @ 8A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RTQ020N05TR

Stock parziale: 125816

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 45V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RQ3G100GNTB

Stock parziale: 168715

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3 mOhm @ 10A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RS1E280BNTB

Stock parziale: 137810

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 28A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RQ3E120BNTB

Stock parziale: 191852

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 12A, 10V,

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RSJ550N10TL

Stock parziale: 35231

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 55A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8 mOhm @ 27.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSJ650N10TL

Stock parziale: 21622

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 65A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 32.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

R6015ENJTL

Stock parziale: 38091

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 6.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RS1E240BNTB

Stock parziale: 155066

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 24A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 24A, 10V,

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Rohm Semiconductor

R6035KNZ1C9

Stock parziale: 12661

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102 mOhm @ 18.1A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RCX330N25

Stock parziale: 36146

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 33A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V,

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Rohm Semiconductor

RQ6E050ATTCR

Stock parziale: 102294

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RQ3E080BNTB

Stock parziale: 113311

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2 mOhm @ 8A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSJ151P10TL

Stock parziale: 114135

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 15A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RQ3L050GNTB

Stock parziale: 140584

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RQ3E150BNTB

Stock parziale: 120854

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 15A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RQ3E180AJTB

Stock parziale: 164284

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RF4E070GNTR

Stock parziale: 155367

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4 mOhm @ 7A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RS1E150GNTB

Stock parziale: 183764

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 15A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RQ3E180BNTB

Stock parziale: 165998

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 18A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RRQ020P03TCR

Stock parziale: 164666

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RF4E110GNTR

Stock parziale: 183000

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 11A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RQ3E080GNTB

Stock parziale: 136768

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7 mOhm @ 8A, 10V,

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Rohm Semiconductor

R6007KNJTL

Stock parziale: 83551

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 2.4A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RS1E350BNTB

Stock parziale: 97681

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 35A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 35A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RF4E075ATTCR

Stock parziale: 118298

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7 mOhm @ 7.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RCJ450N20TL

Stock parziale: 49874

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 22.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSJ250P10FRATL

Stock parziale: 137

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 25A, 10V,

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