Transistor - FET, MOSFET - Singoli | Prodotti a semiconduttore discreti | 18

R6015FNX

Stock parziale: 11226

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 7.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RCX510N25

Stock parziale: 15729

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 51A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V,

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Rohm Semiconductor

R6004KNJTL

Stock parziale: 75363

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

SCT2750NYTB

Stock parziale: 15479

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1700V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 975 mOhm @ 1.7A, 18V,

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Rohm Semiconductor

SCT3060ALGC11

Stock parziale: 7128

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 13A, 18V,

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Rohm Semiconductor

SCH2080KEC

Stock parziale: 2547

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 10A, 18V,

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Rohm Semiconductor

RRH050P03GZETB

Stock parziale: 6288

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

SCT3040KLGC11

Stock parziale: 2854

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 20A, 18V,

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RSS090P03FU7TB

Stock parziale: 135899

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 10V,

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RP1E090RPTR

Stock parziale: 2073

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9 mOhm @ 9A, 10V,

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RCD080N25TL

Stock parziale: 99109

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 4A, 10V,

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SCT2H12NYTB

Stock parziale: 18112

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1700V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V,

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SCT3030ALGC11

Stock parziale: 3030

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 27A, 18V,

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Rohm Semiconductor

R6004ENDTL

Stock parziale: 156482

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 1.5A, 10V,

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RAQ045P01TCR

Stock parziale: 1902

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 12V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

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RS1E200GNTB

Stock parziale: 196672

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

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RSS065N06FRATB

Stock parziale: 10801

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 6.5A, 10V,

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RMW130N03TB

Stock parziale: 190282

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 13A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RMW200N03TB

Stock parziale: 116058

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RP1E090XNTCR

Stock parziale: 1429

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V,

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RP1E070XNTCR

Stock parziale: 1473

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V,

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RP1E100XNTR

Stock parziale: 6211

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

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RP1E075RPTR

Stock parziale: 1446

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RS3E075ATTB

Stock parziale: 122522

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5 mOhm @ 7.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSH065N03TB1

Stock parziale: 197099

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSD220N06TL

Stock parziale: 102535

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 22A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

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Rohm Semiconductor

RP1L080SNTR

Stock parziale: 1473

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RS3E135BNGZETB

Stock parziale: 183103

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6 mOhm @ 9.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RND030N20TL

Stock parziale: 172245

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

R6006ANDTL

Stock parziale: 68225

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RP1H065SPTR

Stock parziale: 1481

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 45V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

R6004CNDTL

Stock parziale: 76158

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RRH100P03GZETB

Stock parziale: 101180

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 10A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RD3L080SNTL1

Stock parziale: 10823

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 8A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RS1E280GNTB

Stock parziale: 189450

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 28A, 10V,

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Rohm Semiconductor

SCT2160KEC

Stock parziale: 7564

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208 mOhm @ 7A, 18V,

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