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Memoria

BR93L46RFVM-WTR
Rohm Semiconductor

BR93L46RFVM-WTR

Stock parziale: 166449

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24L01AFVM-WTR
Rohm Semiconductor

BR24L01AFVM-WTR

Stock parziale: 127807

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G128NUX-3TTR
Rohm Semiconductor

BR24G128NUX-3TTR

Stock parziale: 173995

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T32FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T32FV-WE2

Stock parziale: 106782

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T16FVJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T16FVJ-WE2

Stock parziale: 158219

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T01FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T01FV-WE2

Stock parziale: 109804

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93H76RF-2CE2
Rohm Semiconductor

BR93H76RF-2CE2

Stock parziale: 10805

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (512 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR24C02-MN6TP
Rohm Semiconductor

BR24C02-MN6TP

Stock parziale: 181637

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G128FV-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G128FV-3GTE2

Stock parziale: 196808

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T32FVM-WTR
Rohm Semiconductor

BR24T32FVM-WTR

Stock parziale: 169614

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24C02-RDW6TP
Rohm Semiconductor

BR24C02-RDW6TP

Stock parziale: 126744

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 100kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms,

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BR24T32FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T32FVT-WE2

Stock parziale: 170750

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93H86RFVM-2CTR
Rohm Semiconductor

BR93H86RFVM-2CTR

Stock parziale: 83

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (1K x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR34E02FVT-3E2
Rohm Semiconductor

BR34E02FVT-3E2

Stock parziale: 155066

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G32FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR24G32FVJ-3AGTE2

Stock parziale: 148690

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G128FV-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR24G128FV-3AGTE2

Stock parziale: 168889

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93H76RFVT-2CE2
Rohm Semiconductor

BR93H76RFVT-2CE2

Stock parziale: 9968

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (512 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR24G16F-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G16F-3GTE2

Stock parziale: 147926

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25G320FJ-3GE2
Rohm Semiconductor

BR25G320FJ-3GE2

Stock parziale: 137

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G32FJ-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G32FJ-3GTE2

Stock parziale: 173863

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G32FJ3AGTE2TR
Rohm Semiconductor

BR24G32FJ3AGTE2TR

Stock parziale: 95

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BU99022NUX-3TR
Rohm Semiconductor

BU99022NUX-3TR

Stock parziale: 198863

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (256 x 8 x 2), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T02FVJ-WGE2
Rohm Semiconductor

BR24T02FVJ-WGE2

Stock parziale: 114762

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T02FVJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T02FVJ-WE2

Stock parziale: 170514

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BRCB008GWZ-3E2
Rohm Semiconductor

BRCB008GWZ-3E2

Stock parziale: 170301

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T64F-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T64F-WE2

Stock parziale: 161953

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G16FJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR24G16FJ-3AGTE2

Stock parziale: 157227

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T64FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T64FJ-WE2

Stock parziale: 169882

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR34E02NUX-3TR
Rohm Semiconductor

BR34E02NUX-3TR

Stock parziale: 108628

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T08FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T08FV-WE2

Stock parziale: 124398

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93H66RFJ-2CE2
Rohm Semiconductor

BR93H66RFJ-2CE2

Stock parziale: 87

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (256 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR93H46RFJ-2CE2
Rohm Semiconductor

BR93H46RFJ-2CE2

Stock parziale: 10788

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR93H56RFJ-2CE2
Rohm Semiconductor

BR93H56RFJ-2CE2

Stock parziale: 77

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR24G16NUX-3TTR
Rohm Semiconductor

BR24G16NUX-3TTR

Stock parziale: 139481

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93H66RFVT-2CE2
Rohm Semiconductor

BR93H66RFVT-2CE2

Stock parziale: 138

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (256 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR24G64FV-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR24G64FV-3AGTE2

Stock parziale: 120677

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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