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Memoria

BR24G256FVT-3GE2
Rohm Semiconductor

BR24G256FVT-3GE2

Stock parziale: 179770

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G256FVT-3AGE2
Rohm Semiconductor

BR24G256FVT-3AGE2

Stock parziale: 179784

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93H46RF-2LBH2
Rohm Semiconductor

BR93H46RF-2LBH2

Stock parziale: 1679

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR25H160F-2CE2
Rohm Semiconductor

BR25H160F-2CE2

Stock parziale: 149

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR24L02FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR24L02FVT-WE2

Stock parziale: 191461

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25G640F-3GE2
Rohm Semiconductor

BR25G640F-3GE2

Stock parziale: 140725

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93L66FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR93L66FVT-WE2

Stock parziale: 178232

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (256 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93L76RFVM-WTR
Rohm Semiconductor

BR93L76RFVM-WTR

Stock parziale: 178923

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (512 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24S08NUX-WTR
Rohm Semiconductor

BR24S08NUX-WTR

Stock parziale: 185907

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93L46FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR93L46FVT-WE2

Stock parziale: 191485

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H320FVT-2CE2
Rohm Semiconductor

BR25H320FVT-2CE2

Stock parziale: 9978

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR24T128F-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T128F-WE2

Stock parziale: 180951

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T128FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T128FJ-WE2

Stock parziale: 180916

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H080FJ-2CE2
Rohm Semiconductor

BR25H080FJ-2CE2

Stock parziale: 59

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR24L08FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR24L08FVT-WE2

Stock parziale: 181755

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25G256F-3GE2
Rohm Semiconductor

BR25G256F-3GE2

Stock parziale: 16576

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H160FVT-2CE2
Rohm Semiconductor

BR25H160FVT-2CE2

Stock parziale: 104

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR24G01-3
Rohm Semiconductor

BR24G01-3

Stock parziale: 183148

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24L04FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR24L04FVT-WE2

Stock parziale: 183478

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BU9847GUL-WE2
Rohm Semiconductor

BU9847GUL-WE2

Stock parziale: 183460

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25G128NUX-3TR
Rohm Semiconductor

BR25G128NUX-3TR

Stock parziale: 141193

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T64FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T64FV-WE2

Stock parziale: 121299

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24S08F-WE2
Rohm Semiconductor

BR24S08F-WE2

Stock parziale: 128514

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24L08FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24L08FJ-WE2

Stock parziale: 192303

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93L56FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR93L56FVT-WE2

Stock parziale: 191454

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24L08FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR24L08FV-WE2

Stock parziale: 185582

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24C08-WDS6TP
Rohm Semiconductor

BR24C08-WDS6TP

Stock parziale: 185668

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24L02-W
Rohm Semiconductor

BR24L02-W

Stock parziale: 185667

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24C16-RDS6TP
Rohm Semiconductor

BR24C16-RDS6TP

Stock parziale: 185589

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 100kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms,

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BR24L08FVJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24L08FVJ-WE2

Stock parziale: 185611

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24C16-WDS6TP
Rohm Semiconductor

BR24C16-WDS6TP

Stock parziale: 185609

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24C08-DS6TP
Rohm Semiconductor

BR24C08-DS6TP

Stock parziale: 185665

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24C16-DS6TP
Rohm Semiconductor

BR24C16-DS6TP

Stock parziale: 185657

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24L16FVJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24L16FVJ-WE2

Stock parziale: 185622

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24C08-RDS6TP
Rohm Semiconductor

BR24C08-RDS6TP

Stock parziale: 185598

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 100kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms,

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BR24L08NUX-WTR
Rohm Semiconductor

BR24L08NUX-WTR

Stock parziale: 185933

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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