Memoria | Circuiti integrati (IC) | 3

TC58NYG2S0HBAI4

Stock parziale: 1439

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns,

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TC58CYG1S3HRAIG

Stock parziale: 1919

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8), Frequenza di clock: 104MHz,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HTAI0

Stock parziale: 8902

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns,

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TC58NYG1S3HBAI4

Stock parziale: 1435

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns,

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TC58BVG1S3HBAI4

Stock parziale: 1393

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns,

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TC58BVG2S0HTAI0

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Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns,

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TC58NVG2S0HTA00

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Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns,

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TC58BYG2S0HBAI6

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TH58NVG2S3HTA00

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Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns,

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TC58NVG2S0HBAI6

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TC58CVG2S0HRAIG

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TC58BYG1S3HBAI4

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TC58CYG0S3HRAIG

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TC58NVG2S0HBAI4

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TH58BVG2S3HTA00

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TC58BVG2S0HTA00

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TH58NVG2S3HTAI0

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TH58BYG2S3HBAI6

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Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns,

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TH58BVG2S3HTAI0

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TC58NYG2S0HBAI6

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TC58NVG1S3HTA00

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TC58BYG0S3HBAI4

Stock parziale: 1411

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns,

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TC58NVG1S3HBAI4

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TC58BVG1S3HTA00

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TC58BVG1S3HTAI0

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