Memoria | Circuiti integrati (IC) | 3

TC58NVG0S3HBAI4

Stock parziale: 31647

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HTA00

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Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG0S3HBAI6

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Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI4

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Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns,

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TC58NVG0S3HBAI6

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Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HTA00

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Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns,

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