Menu
ItaliaItalia
Rfqs / ordine
0Rfqs / ordine

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

  • Casa
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Singoli
TK15S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK15S04N1L,LQ

Stock parziale: 110924

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8 mOhm @ 7.5A, 10V,

Lista dei desideri
TK5P50D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK5P50D(T6RSS-Q)

Stock parziale: 127525

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

Lista dei desideri
TPH2010FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH2010FNH,L1Q

Stock parziale: 117809

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198 mOhm @ 2.8A, 10V,

Lista dei desideri
TPH1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1110ENH,L1Q

Stock parziale: 110777

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114 mOhm @ 3.6A, 10V,

Lista dei desideri
SSM3K35CTC,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K35CTC,L3F

Stock parziale: 122010

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V,

Lista dei desideri
TK20S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK20S06K3L(T6L1,NQ

Stock parziale: 135950

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 10A, 10V,

Lista dei desideri
TPC8133,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8133,LQ(S

Stock parziale: 142820

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 4.5A, 10V,

Lista dei desideri
TPH7R006PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH7R006PL,L1Q

Stock parziale: 145095

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 4.5V,

Lista dei desideri
TK60P03M1,RQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TK60P03M1,RQ(S

Stock parziale: 152903

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 30A, 10V,

Lista dei desideri
TK80S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK80S06K3L(T6L1,NQ

Stock parziale: 78944

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 40A, 10V,

Lista dei desideri
SSM3K339R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K339R,LF

Stock parziale: 190791

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1A, 8V,

Lista dei desideri
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ40S04M3L(T6L1,NQ

Stock parziale: 105767

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 10V,

Lista dei desideri
TPN1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1110ENH,L1Q

Stock parziale: 113296

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114 mOhm @ 3.6A, 10V,

Lista dei desideri
TPH8R008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH8R008NH,L1Q

Stock parziale: 104295

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 17A, 10V,

Lista dei desideri
TK10S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK10S04K3L(T6L1,NQ

Stock parziale: 144152

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V,

Lista dei desideri
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Stock parziale: 135878

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 10V,

Lista dei desideri
SSM3K15AMFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15AMFV,L3F

Stock parziale: 170532

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

Lista dei desideri
TK6P53D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6P53D(T6RSS-Q)

Stock parziale: 115497

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 525V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,

Lista dei desideri
TK560P65Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK560P65Y,RQ

Stock parziale: 135881

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 3.5A, 10V,

Lista dei desideri
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ20S04M3L(T6L1,NQ

Stock parziale: 135946

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2 mOhm @ 10A, 10V,

Lista dei desideri
TK30S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Stock parziale: 128540

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 Ohm @ 15A, 10V,

Lista dei desideri
TK9P65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK9P65W,RQ

Stock parziale: 93752

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 4.6A, 10V,

Lista dei desideri
TPH1R712MD,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1R712MD,L1Q

Stock parziale: 128383

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 30A, 4.5V,

Lista dei desideri
TPH4R606NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH4R606NH,L1Q

Stock parziale: 83323

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 32A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 16A, 10V,

Lista dei desideri
TPCA8056-H,LQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8056-H,LQ(M

Stock parziale: 105511

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 48A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 24A, 10V,

Lista dei desideri
TPH1110FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1110FNH,L1Q

Stock parziale: 95924

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 5A, 10V,

Lista dei desideri
TK80S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK80S04K3L(T6L1,NQ

Stock parziale: 78949

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 40A, 10V,

Lista dei desideri
TPH1R005PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1R005PL,L1Q

Stock parziale: 82892

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 45V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04 mOhm @ 50A, 10V,

Lista dei desideri
TPN2010FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2010FNH,L1Q

Stock parziale: 110042

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198 mOhm @ 2.8A, 10V,

Lista dei desideri
TK8A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK8A50D(STA4,Q,M)

Stock parziale: 98335

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

Lista dei desideri
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Stock parziale: 144102

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 4A, 10V,

Lista dei desideri
TPH4R10ANL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH4R10ANL,L1Q

Stock parziale: 7692

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 92A (Ta), 70A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 35A, 10V,

Lista dei desideri
TK6P65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6P65W,RQ

Stock parziale: 129654

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V,

Lista dei desideri
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ15S06M3L(T6L1,NQ

Stock parziale: 135951

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.5A, 10V,

Lista dei desideri
TK20S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK20S04K3L(T6L1,NQ

Stock parziale: 135921

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

Lista dei desideri
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Stock parziale: 104508

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 15A, 10V,

Lista dei desideri