Transistor - Bipolari (BJT) - Array

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Transistor - Bipolari (BJT) - Array

2SC4207-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

Stock parziale: 152609

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SC4944-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-Y(TE85L,F)

Stock parziale: 98

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SA1618-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

Stock parziale: 124

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SA1873-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-Y(TE85L,F)

Stock parziale: 114931

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SA1873-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-GR(TE85L,F

Stock parziale: 137653

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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2SC4207-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-BL(TE85L,F

Stock parziale: 153875

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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2SC4207-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-GR(TE85L,F

Stock parziale: 9987

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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2SA1618-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F

Stock parziale: 115889

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1B01FU-Y(L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Stock parziale: 4365

Tipo di transistor: NPN, PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

Stock parziale: 167758

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1C03FU-A(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

Stock parziale: 115887

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 300mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

Stock parziale: 179411

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 120V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1A01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-GR(TE85L,F

Stock parziale: 4432

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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ULN2004AFWG,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

Stock parziale: 124168

Tipo di transistor: 7 NPN Darlington, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 50µA, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN1A01F-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

Stock parziale: 104094

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN4B04J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B04J(TE85L,F)

Stock parziale: 147055

Tipo di transistor: NPN, PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 30V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF

Stock parziale: 104803

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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TPCP8901(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8901(TE85L,F,M

Stock parziale: 104

Tipo di transistor: NPN, PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1A, 800mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

Stock parziale: 184759

Tipo di transistor: NPN, PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1B01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01F-GR(TE85L,F

Stock parziale: 4437

Tipo di transistor: NPN, PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN4A06J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)

Stock parziale: 4500

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 120V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN2C01FE-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Stock parziale: 4488

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF

Stock parziale: 184335

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN3A51F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3A51F(TE85L,F)

Stock parziale: 4476

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 120V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003APG,CN

Stock parziale: 4401

Tipo di transistor: 7 NPN Darlington, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 50µA, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Stock parziale: 6508

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

Stock parziale: 151500

Tipo di transistor: NPN, PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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ULN2803AFWG,C,EL

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803AFWG,C,EL

Stock parziale: 4471

Tipo di transistor: 8 NPN Darlington, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN1C03F-B(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

Stock parziale: 9945

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 300mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

Stock parziale: 111105

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN1B04F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

Stock parziale: 4492

Tipo di transistor: NPN, PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 30V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

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ULN2003AFWG,O,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

Stock parziale: 4430

Tipo di transistor: 7 NPN Darlington, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 50µA, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN4B01JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE(TE85L,F)

Stock parziale: 76

Tipo di transistor: NPN, PNP (Emitter Coupled), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803APG,CN

Stock parziale: 4464

Tipo di transistor: 8 NPN Darlington, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN3C51F-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

Stock parziale: 4503

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 120V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

Stock parziale: 9904

Tipo di transistor: NPN, PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 100nA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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