Diodi - Raddrizzatori - Singoli | Prodotti a semiconduttore discreti | 6

CMS17(TE12L,Q,M)

Stock parziale: 117

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I40A(TE12L,QM

Stock parziale: 100

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRF02(TE85L,Q,M)

Stock parziale: 88

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 100ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRS20I30A(TE85L,QM

Stock parziale: 166057

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRS12(TE85L,Q,M)

Stock parziale: 177271

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRS15I30B(TE85L,QM

Stock parziale: 79

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 400mV @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS15(TE12L,Q,M)

Stock parziale: 163

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMF01(TE12L,Q,M)

Stock parziale: 194437

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 100ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRG04(TE85L,Q,M)

Stock parziale: 185173

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRF03(TE85L,Q,M)

Stock parziale: 157727

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 700mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 700mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 100ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85R,Q,M)

Stock parziale: 160805

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I30A(TE12L,QM

Stock parziale: 142

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS07(TE12L,Q,M)

Stock parziale: 160837

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRG03(TE85L,Q,M)

Stock parziale: 187277

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I40A(TE12L,QM

Stock parziale: 192

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRS03(TE85L,Q,M)

Stock parziale: 104522

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS20I40A(TE12L,QM

Stock parziale: 152

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CES520,L3F

Stock parziale: 178640

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CES521,L3F

Stock parziale: 160204

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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TRS12E65C,S1Q

Stock parziale: 5730

Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 650V, Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 0ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CUS06(TE85L,Q,M)

Stock parziale: 236

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 20V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 700mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS14(TE12L,Q,M)

Stock parziale: 113027

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I30A(TE85L,QM

Stock parziale: 200

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 700mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS16(TE12L,Q,M)

Stock parziale: 182845

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMG02(TE12L,Q,M)

Stock parziale: 177

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CUS15I30A(TE85L,QM

Stock parziale: 158

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMH01(TE12L,Q,M)

Stock parziale: 162

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 100ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CUS03(TE85L,Q,M)

Stock parziale: 175

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 700mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 700mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05(TE85L,Q,M)

Stock parziale: 154

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 20V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 700mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRH02(TE85L,Q,M)

Stock parziale: 159

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMH04(TE12L,Q,M)

Stock parziale: 168712

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08A(TE12L,Q,M)

Stock parziale: 153282

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMC02(TE12L,Q,M)

Stock parziale: 171

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CMS30I30A(TE12L,QM

Stock parziale: 187

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMH02A(TE12L,Q,M)

Stock parziale: 184

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 100ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMG03(TE12L,Q,M)

Stock parziale: 172

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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