Transistor - FET, MOSFET - Singoli

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Transistor - FET, MOSFET - Singoli

TPH3202PD

Stock parziale: 7016

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3205WSB

Stock parziale: 3254

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 8V,

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TPH3208PD

Stock parziale: 986

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3207WS

Stock parziale: 2351

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 32A, 8V,

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TPH3206LS

Stock parziale: 6040

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3208LS

Stock parziale: 5664

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3208PS

Stock parziale: 6263

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3206PD

Stock parziale: 5709

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3206PS

Stock parziale: 6777

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TP65H035WS

Stock parziale: 2828

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 30A, 10V,

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TPH3208LDG

Stock parziale: 5597

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3206LDGB

Stock parziale: 6072

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TP65H050WS

Stock parziale: 1890

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 10V,

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TPH3206LD

Stock parziale: 6066

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3208LSG

Stock parziale: 1701

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 14A, 8V,

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TPH3205WSBQA

Stock parziale: 2970

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 22A, 8V,

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TPH3206PSB

Stock parziale: 6741

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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TP90H180PS

Stock parziale: 2997

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 900V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 10A, 10V,

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TPH3206LSB

Stock parziale: 6120

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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TPH3212PS

Stock parziale: 4430

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 17A, 8V,

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TPH3202LD

Stock parziale: 6662

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3202LS

Stock parziale: 6623

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3208LD

Stock parziale: 5648

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3202PS

Stock parziale: 7016

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3206LDB

Stock parziale: 6074

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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