Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 30A, 8V,
