| genere | Descrizione |
| Stato della parte | Active |
|---|---|
| Tipo FET | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 2mA (Typ) |
| Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 1000V |
| Potenza - Max | 250W |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto/custodia | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
| Stato di rohs. | A norma RoHS |
|---|---|
| Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
| Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
| Categoria di riserva | Stock disponibile |
