genere | Descrizione |
Stato della parte | Not For New Designs |
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Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 160A (Tc) |
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 4.5V |
Vg (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4160pF @ 13V |
Funzione FET | Schottky Diode (Body) |
Dissipazione di potenza (massima) | 2.1W (Ta), 54W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MX |
Pacchetto/custodia | DirectFET™ Isometric MX |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |