| genere | Descrizione |
| Stato della parte | Not For New Designs |
|---|---|
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 35A (Ta), 213A (Tc) |
| Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
| Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 4.5V |
| Vg (massimo) | ±16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5435pF @ 13V |
| Funzione FET | Schottky Diode (Body) |
| Dissipazione di potenza (massima) | 2.1W (Ta), 78W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MX |
| Pacchetto/custodia | DirectFET™ Isometric MX |
| Stato di rohs. | A norma RoHS |
|---|---|
| Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
| Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
| Categoria di riserva | Stock disponibile |
