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Transistor - FET, MOSFET - Singoli

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PSMN7R0-100BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN7R0-100BS,118

Stock parziale: 55875

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN3R3-60PLQ
Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-60PLQ

Stock parziale: 27251

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN5R0-100PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN5R0-100PS,127

Stock parziale: 22124

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN2R0-30PL,127
Nexperia USA Inc.

PSMN2R0-30PL,127

Stock parziale: 42173

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 15A, 10V,

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PHB191NQ06LT,118
Nexperia USA Inc.

PHB191NQ06LT,118

Stock parziale: 67371

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN8R7-80BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN8R7-80BS,118

Stock parziale: 87221

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 10A, 10V,

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PSMN7R8-100PSEQ
Nexperia USA Inc.

PSMN7R8-100PSEQ

Stock parziale: 31596

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN6R5-80PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN6R5-80PS,127

Stock parziale: 38019

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN6R3-120PS
Nexperia USA Inc.

PSMN6R3-120PS

Stock parziale: 23121

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 120V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN9R5-100BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN9R5-100BS,118

Stock parziale: 72964

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 89A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMNR90-30BL,118
Nexperia USA Inc.

PSMNR90-30BL,118

Stock parziale: 42984

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN017-80BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN017-80BS,118

Stock parziale: 121312

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

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PSMN6R5-80BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN6R5-80BS,118

Stock parziale: 73024

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN1R1-30EL,127
Nexperia USA Inc.

PSMN1R1-30EL,127

Stock parziale: 26255

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

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PHB47NQ10T,118
Nexperia USA Inc.

PHB47NQ10T,118

Stock parziale: 75280

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN4R2-30MLDX
Nexperia USA Inc.

PSMN4R2-30MLDX

Stock parziale: 114488

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

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PHB20N06T,118
Nexperia USA Inc.

PHB20N06T,118

Stock parziale: 191359

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V,

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PSMN1R6-30PL,127
Nexperia USA Inc.

PSMN1R6-30PL,127

Stock parziale: 22831

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN012-60YS,115
Nexperia USA Inc.

PSMN012-60YS,115

Stock parziale: 149981

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 59A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN3R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.

PSMN3R5-30YL,115

Stock parziale: 192264

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN3R0-60ES,127
Nexperia USA Inc.

PSMN3R0-60ES,127

Stock parziale: 31195

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN2R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.

PSMN2R5-30YL,115

Stock parziale: 195660

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN015-60PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN015-60PS,127

Stock parziale: 64261

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN4R8-100PSEQ
Nexperia USA Inc.

PSMN4R8-100PSEQ

Stock parziale: 17601

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120A (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.

PSMN9R5-30YLC,115

Stock parziale: 119194

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 15A, 10V,

Lista dei desideri
PSMN7R0-100PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN7R0-100PS,127

Stock parziale: 38971

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN1R9-40PLQ
Nexperia USA Inc.

PSMN1R9-40PLQ

Stock parziale: 21760

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Lista dei desideri
PHP30NQ15T,127
Nexperia USA Inc.

PHP30NQ15T,127

Stock parziale: 46960

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 150V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 15A, 10V,

Lista dei desideri
PSMN3R3-80PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-80PS,127

Stock parziale: 23446

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

Lista dei desideri
PSMN017-80PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN017-80PS,127

Stock parziale: 59097

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

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PH955L,115
Nexperia USA Inc.

PH955L,115

Stock parziale: 62022

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 62.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 25A, 10V,

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PMXB65UPEZ
Nexperia USA Inc.

PMXB65UPEZ

Stock parziale: 100221

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 12V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

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PSMN165-200K,518
Nexperia USA Inc.

PSMN165-200K,518

Stock parziale: 132385

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 2.5A, 10V,

Lista dei desideri
PSMN2R2-40PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN2R2-40PS,127

Stock parziale: 31848

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 25A, 10V,

Lista dei desideri
PSMN003-30P,127
Nexperia USA Inc.

PSMN003-30P,127

Stock parziale: 71600

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Lista dei desideri
PSMN8R5-100ESQ
Nexperia USA Inc.

PSMN8R5-100ESQ

Stock parziale: 39385

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tj), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V,

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