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Transistor - FET, MOSFET - Singoli

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HUF76439S3ST
ON Semiconductor

HUF76439S3ST

Stock parziale: 52379

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,

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FDB045AN08A0-F085
ON Semiconductor

FDB045AN08A0-F085

Stock parziale: 64

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 75V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 19A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 80A, 10V,

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NTD4904NT4G
ON Semiconductor

NTD4904NT4G

Stock parziale: 178458

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 79A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 30A, 10V,

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NTD24N06T4G
ON Semiconductor

NTD24N06T4G

Stock parziale: 183950

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 24A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 10A, 10V,

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FDP7N60NZ
ON Semiconductor

FDP7N60NZ

Stock parziale: 89755

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3.25A, 10V,

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FDD86110
ON Semiconductor

FDD86110

Stock parziale: 65814

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2 mOhm @ 12.5A, 10V,

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FDP150N10A-F102
ON Semiconductor

FDP150N10A-F102

Stock parziale: 88

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 50A, 10V,

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FQP6N80C
ON Semiconductor

FQP6N80C

Stock parziale: 89271

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 800V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2.75A, 10V,

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NTLUS4C12NTAG
ON Semiconductor

NTLUS4C12NTAG

Stock parziale: 154063

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 9A, 10V,

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NVD5C460NLT4G
ON Semiconductor

NVD5C460NLT4G

Stock parziale: 129

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 73A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

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FDD6680AS
ON Semiconductor

FDD6680AS

Stock parziale: 165412

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 55A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 12.5A, 10V,

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CPH3350-TL-W
ON Semiconductor

CPH3350-TL-W

Stock parziale: 144634

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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FDD3690
ON Semiconductor

FDD3690

Stock parziale: 118201

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 5.4A, 10V,

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FQB11N40CTM
ON Semiconductor

FQB11N40CTM

Stock parziale: 83287

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 400V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 5.25A, 10V,

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ECH8309-TL-H
ON Semiconductor

ECH8309-TL-H

Stock parziale: 156152

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 12V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

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FDMC2674
ON Semiconductor

FDMC2674

Stock parziale: 113572

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 220V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 7A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366 mOhm @ 1A, 10V,

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FDMS7672AS
ON Semiconductor

FDMS7672AS

Stock parziale: 155908

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 18A, 10V,

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NVMFS5A160PLZT1G
ON Semiconductor

NVMFS5A160PLZT1G

Stock parziale: 72

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 50A, 10V,

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NVATS68301PZT4G
ON Semiconductor

NVATS68301PZT4G

Stock parziale: 118

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 14A, 10V,

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MCH3375-TL-W-Z
ON Semiconductor

MCH3375-TL-W-Z

Stock parziale: 110864

Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

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FQD7N10LTM
ON Semiconductor

FQD7N10LTM

Stock parziale: 145414

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2.9A, 10V,

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FDD8445
ON Semiconductor

FDD8445

Stock parziale: 134304

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 50A, 10V,

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FQD2N60CTM
ON Semiconductor

FQD2N60CTM

Stock parziale: 190174

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V,

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NVATS5A108PLZT4G
ON Semiconductor

NVATS5A108PLZT4G

Stock parziale: 84654

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 77A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 35A, 10V,

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FDB0630N1507L
ON Semiconductor

FDB0630N1507L

Stock parziale: 19651

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 150V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 18A, 10V,

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NVE4153NT1G
ON Semiconductor

NVE4153NT1G

Stock parziale: 169814

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 915mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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FDS6298
ON Semiconductor

FDS6298

Stock parziale: 134298

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13A, 10V,

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NVGS3130NT1G
ON Semiconductor

NVGS3130NT1G

Stock parziale: 154395

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

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FDB024N04AL7
ON Semiconductor

FDB024N04AL7

Stock parziale: 30642

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 80A, 10V,

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FDS8870
ON Semiconductor

FDS8870

Stock parziale: 94656

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 18A, 10V,

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MCH6337-TL-W
ON Semiconductor

MCH6337-TL-W

Stock parziale: 104594

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 3A, 4.5V,

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FQB8N90CTM
ON Semiconductor

FQB8N90CTM

Stock parziale: 48227

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 900V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V,

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NVATS4A102PZT4G
ON Semiconductor

NVATS4A102PZT4G

Stock parziale: 163879

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 44A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 20A, 10V,

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FDD1600N10ALZ
ON Semiconductor

FDD1600N10ALZ

Stock parziale: 154084

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 3.4A, 10V,

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FQB4N80TM
ON Semiconductor

FQB4N80TM

Stock parziale: 83054

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 800V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V,

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FQT4N25TF
ON Semiconductor

FQT4N25TF

Stock parziale: 170007

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 830mA (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 415mA, 10V,

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